ROM मेमोरी क्या है: वह सब कुछ जो आपको जानना आवश्यक है

अधिकतर हम पीसी के कुछ आंतरिक उपकरणों पर ज्यादा ध्यान नहीं देते हैं, और उनमें से एक रोम मेमोरी है। यह कंप्यूटर बनाने वाले सबसे महत्वपूर्ण घटकों में से एक है, क्योंकि यह कंप्यूटर को शुरू करने की श्रृंखला में एक आवश्यक से अधिक टुकड़ा है। इस लेख में हम आपको बताएंगे ROM मेमोरी क्या है, इसके प्रकार और विशेषताएं।

ROM मेमोरी क्या है?

ROM मेमोरी या रीड-ओनली मेमोरी के रूप में भी प्रतिष्ठित, कंप्यूटर और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग किया जाने वाला एक स्टोरेज टुकड़ा है, जो केवल सर्च रीडिंग को मंजूरी देता है, लेकिन आपकी पांडुलिपि को मंजूरी नहीं देता है, भले ही कोई शक्ति या ऊर्जा स्रोत मौजूद हो या नहीं।

ROM मेमोरी में संग्रहीत डेटा को बदला या संशोधित नहीं किया जा सकता है, या कम से कम एक चक्करदार या सरल तरीके से नहीं। यह विशेष रूप से फर्मवेयर 2 को संलग्न करने के लिए उपयोग किया जाता है, जो एक विशिष्ट हार्डवेयर से संबंधित प्रोग्राम से ज्यादा कुछ नहीं है और उपकरण के संचालन के लिए नियमित अपडेट या अन्य आवश्यक वस्तुओं की अपर्याप्त रूप से आवश्यकता होती है, जैसे प्रोग्राम जो कंप्यूटर को प्रदर्शन करने के लिए शुरू करते हैं निदान।

सख्त मोड में, यह केवल डेटा को बचाने से बनी रोम त्वचा की समीक्षा करता है, इसलिए इसकी सामग्री को किसी भी तरह से संशोधित नहीं किया जा सकता है। हालाँकि, नए रोम (जैसे EPROMs और Flash EEPROMs) कई बार प्रभावी ढंग से मिटाए और पुन: प्रोग्राम किए जाने का प्रबंधन करते हैं और अभी भी "केवल-पढ़ने के लिए मेमोरी" या "ROM" कहलाते हैं।

उन्हें कॉल करते रहने का कारण यह है कि रीप्रोग्रामिंग प्रक्रिया आमतौर पर बहुत छोटी होती है, तुलनात्मक रूप से धीमी होती है, और आमतौर पर स्मृति में यादृच्छिक स्थानों पर लिखने की अनुमति नहीं देती है। हालांकि ROM सरल है, फ्लैश करने योग्य हार्डवेयर अधिक अनुकूलनीय और सस्ता है, यही वजह है कि 2007 के बाद निर्मित हार्डवेयर पर पुराने ROM की खाल शायद ही कभी देखी जाती है।

रोम समारोह

मूल रूप से, आपके कंप्यूटर के आंतरिक रोम (विशेष रूप से एक कंप्यूटर में) का काम सभी आवश्यक बूट कोड और प्रक्रियाओं को संग्रहीत और अपरिवर्तित रखना है, ताकि पीसी को हर दिन, हर समय और बिना किसी बदलाव के बूट किया जा सके। हम इसे उसी तरह चालू करते हैं।

पीसी की बूट प्रक्रिया को प्रबंधित करने वाले कई कार्यों में से, जो ROM मेमोरी करता है, उनमें से एक अत्यंत महत्वपूर्ण है और वह है कंप्यूटर का ऑपरेटिंग सिस्टम शुरू करना। हम जानते हैं कि इसके बिना आज के कंप्यूटर शायद ही कभी इस्तेमाल होते। ROM सभी प्रारंभिक सिस्टम स्कैन और निरीक्षण करने के साथ-साथ सभी इनपुट और आउटपुट बाह्य उपकरणों के लिए कई नियंत्रण रूटीन के लिए भी जिम्मेदार है।

ROM मेमोरी के प्रकार

ये पहले ROM की स्थापना और मसौदा तैयार किया गया था क्योंकि उनके छद्म शब्द निर्देश देते हैं कि उनके पास केवल उन पर सहेजे गए डेटा की रीड-ओनली प्रकृति है। ROM मेमोरी के अन्य अनुकूलन की तरह, उनके पास विद्युत ऊर्जा से स्वतंत्र रूप से काम करने की क्षमता होती है जो उन पर संचालित जानकारी को संग्रहीत करने के लिए डिवाइस में प्रसारित होती है, और उनकी संरचना मुख्य रूप से सिलिकॉन और सिलिकेट होती है। उनके पास विद्युत ऊर्जा को संचारित और परिवहन करने की क्षमता है।

कंप्यूटर में परिसंचारी स्वचालित शक्ति अप्रासंगिक है, लेकिन डेटा को संग्रहीत करने के लिए विद्युत शक्ति द्वारा उत्पन्न धाराओं की तरंगों की अभी भी आवश्यकता है।

मूल रूप से, दो प्रकार की मेमोरी होती है जो डिवाइस स्टार्टअप रूटीन को स्टोर करने के लिए उपयोग की जाती है: प्रोग्राम करने योग्य और गैर-प्रोग्राम करने योग्य। ROM मेमोरी और PROM मेमोरी से बना दूसरा प्रकार, अब कंप्यूटिंग के क्षेत्र में उपयोग नहीं किया जाता है, क्योंकि उन्हें उन मेमोरी से बदल दिया गया है जिन्हें ओवरराइट किया जा सकता है, जिसका अर्थ है, पहले प्रकार की मेमोरी, जिसमें EPROM और EEPROM मेमोरी . स्मृतियों के प्रकार हैं:

ROM (रीड ओनली मेमोरी)

अंग्रेजी में ROM (रीड ओनली मेमोरी) में निर्मित प्रारंभिक रीड-ओनली कैरेक्टर मेमोरी शामिल है। जानकारी संग्रहीत करने के लिए, एक प्रोग्राम का उपयोग किया गया था जिसमें सिलिकॉन प्लेट और मास्क का उपयोग शामिल था, इसलिए मैन्युअल संचालन असंभव था। ROM प्रकार की मेमोरी को EPROM और EEPROM प्रकार की यादों से बदल दिया गया था, जहाँ बाद वाली को अधिलेखित किया जा सकता है।

वर्तमान में, ऐसी ROM मेमोरी का उपयोग कंप्यूटर या मोबाइल कनेक्टर की संरचना में नहीं किया जाता है क्योंकि उन्हें अप्रचलित माना जाता है, बहुत बहुमुखी नहीं है और बदले जाने के अलावा, उन्हें बनाना और बनाए रखना बहुत महंगा है। यह केवल कंप्यूटिंग के क्षेत्र में अनुभवी पेशेवरों के हाथों में व्यवहार्य है। यदि घटक मरम्मत योग्य और अपरिवर्तनीय रूप से क्षतिग्रस्त हैं, तो यह कंप्यूटर उपयोगकर्ता के लिए निरंतर वित्तीय व्यय लाएगा।

प्रोम (प्रोग्रामेबल रीड ओनली मेमोरी)

PROM मेमोरी या प्रोग्रामेबल रीड ओनली मेमोरी में एक विशेष गुण होता है जो उनके पूर्ववर्तियों में नहीं था। वे कॉन्फ़िगर किए जाने का प्रबंधन करते हैं और केवल उनमें एकीकृत और सहेजी गई जानकारी को पढ़ने का प्रबंधन करते हैं। ROM मेमोरी के इस मॉडल का निर्माण और कार्यान्वयन 1950 के दशक का है। इनके उपयोग में यह शामिल है कि बारह (12) वोल्ट से बीस (20) वोल्ट के वोल्टेज को मेमोरी में जानकारी संग्रहीत करने के लिए नियंत्रित किया जा सकता है, क्योंकि ऊपर उल्लिखित उलटा है एक वोल्टेज उत्पन्न करता है जो शामिल मेमोरी फ़ंक्शन को सक्रिय करता है।

इसी तरह, PROM मेमोरी में अपने एकीकृत सर्किट पर छद्म नाम "ROM प्रोग्रामर" वाले डायोड की एक श्रृंखला होती है, और इसके कार्यों को प्रोग्राम करने और पूरा करने के लिए बाइनरी कोड को संसाधित करता है। विद्युत तरंग अधिभार के मामले में, इन यादों में द्विआधारी मान 1 स्मृति के प्रतिरोध और कार्यात्मक प्रदर्शन से मेल खाता है, जबकि डायोड को बाइनरी मान 0 प्राप्त होता है जब अधिभार हटा दिया जाता है और उनका वर्तमान गुजरता है, अर्थात यह स्थिर है द्रव के रूप में।

हालांकि, यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि इन घटकों का नुकसान यह है कि डायोड को अधिभार के कारण विद्युत निर्वहन से क्षतिग्रस्त किया जा सकता है, जिससे उनकी उच्च लागत के कारण कंप्यूटर बाजार में बेकार और अपव्यय होता है। ये यादें उपयोगकर्ताओं द्वारा अपनी जानकारी संग्रहीत करने के लिए स्थापित जरूरतों को पूरा नहीं कर सकती हैं।

EPROM (इरेजेबल प्रोग्रामेबल रीड ओनली मेमोरी)

EPROM मेमोरी सभी मोबाइल उपकरणों जैसे सेल फोन, प्रोसेसर और यहां तक ​​कि मनोरंजन और सूचना मशीनों में सबसे अधिक उपयोग की जाती है। यह यह भी निर्धारित करता है कि डेटा स्टोरेज मेमोरी में कई प्रोग्रामिंग के लिए आवश्यक शक्ति और गुणवत्ता है, मूल कॉन्फ़िगरेशन के अलावा और इनपुट डेटा को हटाया और संशोधित किया जा सकता है। स्पैनिश में EPROM मेमोरी का संक्षिप्त नाम "प्रोग्रामेबल और इरेज़ेबल रीड ओनली मेमोरी" है।

उनके पास रखरखाव और वर्गीकरण का एक विशेष गुण है, जो उच्च तीव्रता विकिरण या चमक के उपयोग के माध्यम से एक विशेष विधि द्वारा किया जाता है, अर्थात पराबैंगनी प्रकाश की तरह, जिसमें एक शक्तिशाली ऊर्जा गुणवत्ता होती है, यह स्मृति में किसी भी विफलता को बेअसर करने का प्रबंधन करती है। और उपरोक्त त्रुटियों को सरल और तेज़ तरीके से ठीक करने का प्रबंधन करता है।

EEPROM

यह ROM मेमोरी का एक मॉडल है जिसे प्रोग्राम किया जा सकता है, मिटाया जा सकता है और ऊर्जावान रूप से रिप्रोग्राम किया जा सकता है, जो कि EPROM के विपरीत है जिसे ऐसे उपकरणों के माध्यम से मिटाया जाना चाहिए जो पराबैंगनी प्रकाश का उत्सर्जन करते हैं और संवेदनशील यादें होते हैं।

अन्य रोम के विपरीत, इस मेमोरी में विद्युत शक्ति होती है और उत्कृष्ट डेटा पूर्णता की गारंटी के लिए गहन निरीक्षण करने के लिए प्रत्येक समीक्षा का पूर्ण तरीके से अध्ययन करती है। हालाँकि, इस ROM मोड द्वारा निष्पादित डेटा के श्रमसाध्य और गहन विश्लेषण के कारण, यदि डेटा को संभाला जाता है और गलत तरीके से प्रतीक्षा की जाती है, तो इसका कार्य जल्दी धीमा हो सकता है। स्पैनिश में EEPROM मेमोरी का संक्षिप्त नाम "इलेक्ट्रिकली इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड ओनली मेमोरी" है।

ईरोम

यह EEPROM का एक मॉडल है और एक बार में एक बिट को बदलने का प्रबंधन करता है। लिखने की प्रक्रिया बहुत देर से होती है और फिर से उच्च वोल्टेज की आवश्यकता होती है, आमतौर पर लगभग बारह (12) वोल्ट, और इसका उपयोग रीड इनपुट के लिए किया जाता है। EAROM उन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है जिन्हें अक्सर आंशिक पुनर्लेखन की आवश्यकता नहीं होती है।

प्रक्रिया प्रतिनिधित्व के बारे में महत्वपूर्ण अधिसूचना प्राप्त करने के लिए ईएआरएम का उपयोग गैर-वाष्पशील बफर के रूप में किया जा सकता है। विभिन्न कार्यों में, EAROM को नेटवर्क द्वारा प्रदान की गई CMOS RAM द्वारा हटा दिया गया है और लिथियम बैटरी द्वारा समर्थित है। स्पैनिश में EAROM मेमोरी का संक्षिप्त नाम "इलेक्ट्रिकली अल्टरेबल रीड-ओनली मेमोरी" है।

फ्लैश मेमोरी

यह मेमोरी 1984 में तैयार किए गए EEPROM का एक हालिया मॉडल है। फ्लैश मेमोरी सामान्य EEPROM की तुलना में मिटाने और फिर से लिखने के लिए अधिक चुस्त है, और वर्तमान स्केच आगे एक मिलियन (1.000.000) बार से अधिक उच्च सहनशक्ति का वर्णन करते हैं।

आधुनिक नंद फ्लैश में सिलिकॉन चिप क्षेत्र का प्रभावी उपयोग होता है, जिसके परिणामस्वरूप 32 तक 2007 जीबी तक की क्षमता वाले अलग-अलग आईसी होते हैं; इस गुण ने, अपनी शारीरिक शक्ति और स्थायित्व के साथ, नंद फ्लैश के लिए कुछ अनुप्रयोगों (जैसे यूएसबी फ्लैश ड्राइव) में चुंबकीय को प्रतिस्थापित करना आसान बना दिया है। फ्लैश मेमोरी को कभी-कभी फ्लैश रोम या फ्लैश ईईपीरोम कहा जाता है, जब पुराने रोम प्रकारों के प्रतिस्थापन के रूप में उपयोग किया जाता है, लेकिन उन अनुप्रयोगों में नहीं जो जल्दी और बार-बार बदलने की क्षमता का लाभ उठाते हैं।

पढ़ने की गति

हालाँकि, RAM और ROM मेमोरी की गति के बीच संबंधित सहसंबंध पिछले कुछ वर्षों में बदल गया है, 2.007 के बाद से, RAM को अधिकांश ROM की तुलना में तेजी से पढ़ा जाता है, इसलिए ROM की सामग्री को सामान्य रूप से RAM में स्थानांतरित किया जा सकता है।

गति लिखें

विद्युत रूप से लिखने योग्य ROM प्रकारों के लिए, लिखने की गति हमेशा पढ़ने की गति से बहुत धीमी होती है। उत्तरार्द्ध को असामान्य रूप से उच्च वोल्टेज, लिखने के तरीके को सक्षम करने के लिए जंपर्स और विशेष अनलॉक कमांड की आवश्यकता हो सकती है। NAND फ्लैश मेमोरी सभी प्रकार के रिप्रोग्रामेबल ROM के बीच उच्चतम लेखन गति प्राप्त करती है, जबकि मेमोरी सेल के बड़े ब्लॉक में लिखते समय, 15MB / s तक पहुंच जाती है।

ROM, EPROM और EEPROM मेमोरी के बीच अंतर

उनके बीच का अंतर बहुत सटीक और स्पष्ट है, क्योंकि पहले प्रकार की ROM मेमोरी का उपयोग केवल इनपुट डेटा को पढ़ने के लिए किया जाता है, जो ऑपरेटिंग सिस्टम के मुख्य डेटा से मेल खाती है, जिसमें फ्रेमवर्क, फर्मवेयर और सबसे पहले, BIOS शामिल हैं। कंप्यूटर डेटा या एप्लिकेशन को संशोधित नहीं कर सकता है। आंतरिक कॉन्फ़िगरेशन के रूप में प्रोग्राम, इस प्रकार डिवाइस हार्डवेयर के विशेष और प्रभावी विकास के लिए सॉफ़्टवेयर अपडेट से परहेज करते हैं।

इसी तरह, EPROM और EEPROM ROM में उपरोक्त गुणों को हटा दिया जाता है, इसलिए उपर्युक्त डेटा की एक नई और अप-टू-डेट स्थिति होती है, जो इसे और अधिक परिचालन बनाती है, और उपयोगकर्ताओं को बेहतर गुणवत्ता भी प्रदान करती है, उदाहरण के लिए, अधिक पारंपरिक, सरल और नया प्रदर्शन। जहां तक ​​कंप्यूटर और उसमें मौजूद सभी सॉफ्टवेयर के कार्यों की बात है, उसी तरह, डेटा संशोधन और अद्यतन की गुणवत्ता के कारण, सॉफ्टवेयर और डिवाइस के हार्डवेयर के बीच एक सहज और स्थिर बातचीत की जा सकती है।

ROM मेमोरी के लिए, चूंकि कंप्यूटर में संसाधित किए जाने वाले डेटा को डिफ़ॉल्ट रूप से मुख्य भाग में प्रोग्राम किया जाता है, इसलिए लेखन की अनुमति नहीं है। हालाँकि, यदि डेटा को प्रश्न में स्मृति में एक पुन: प्रोग्राम किए गए प्रोग्राम के माध्यम से दर्ज किया जाता है, तो उन्हें किसी भी प्रकार के लेखन, विलोपन या इसमें संग्रहीत जानकारी की चोरी को रोकने के लिए जोड़ा और अवरुद्ध किया जाता है।

इसके विपरीत, ROM EPROM और EEPROM यादों में वह गुण होता है जो उनमें एक नई प्रोग्रामिंग की अनुमति देता है, साथ ही नियंत्रक और किसी भी प्रकार के सॉफ़्टवेयर को अपडेट करने में सक्षम होता है जिसे उक्त मेमोरी में प्रोग्राम, दर्ज और सहेजा गया है। और डेटा इस प्रकार की ROM मेमोरी में पूर्व-प्रोग्राम नहीं किया जाता है, जो बेहतर उपयोगिता की अनुमति देता है, और यहां तक ​​कि इस मेमोरी को प्रभावी ढंग से, सरल और सस्ते में महसूस किया जा सकता है।

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