大多数情况下，我们不太关注PC的某些内部设备，其中之一就是ROM内存。 它是构成计算机的最重要的组件之一，因为它在启动计算机的过程中非常重要。 在这篇文章中，我们将告诉你 什么是ROM存储器，它的种类和特点。
什么是ROM存储器？
ROM Memory或者也区分为Read-Only Memory是一种用于计算机和电子设备中的存储片段，它只批准检索阅读，而不批准你的稿件，无论是否存在电源或能源。
ROM存储器中存储的数据不能被更改或修改，或者至少不能以令人眼花缭乱或简单的方式进行。 它特别用于附加固件 2，它只不过是与特定硬件相关的程序，不太可能需要定期更新或其他必要的项目来运行设备，例如启动计算机执行的程序诊断。
在最严格的模式下，它只审查一个由保存数据组成的ROM皮肤，因此不能以任何方式修改其内容。 然而，较新的 ROM（例如 EPROM 和闪存 EEPROM）可以多次有效地擦除和重新编程，并且仍然被称为“只读存储器”或“ROM”。
继续调用它们的原因是重新编程过程通常非常小，相对较慢，并且通常不允许写入内存中的随机位置。 虽然 ROM 很简单，但可刷写硬件的适应性更强，价格也更便宜，这也是为什么 2007 年之后生产的硬件上很少看到旧 ROM 皮肤的原因。
只读存储器功能
基本上，您的计算机内部 ROM（尤其是在计算机中）的工作是保存所有必要的启动代码和程序并保持不变，以便 PC 可以每天、任何时候、无需任何更改地启动。我们以同样的方式打开它。
在 ROM 存储器执行的管理 PC 启动过程的众多任务中，其中一项极为重要，那就是启动计算机的操作系统。 我们知道，没有它，今天的计算机将很少使用。 ROM 还负责执行所有初始系统扫描和检查，以及所有输入和输出外设的多个控制例程。
ROM 存储器的类型
这些是第一批创建和起草的 ROM，因为它们的化名表明它们仅具有保存在其上的数据的只读性质。 与 ROM 存储器的其他适配一样，它们能够独立于在设备中循环的电能来工作以存储对其操作的信息，它们的成分主要是硅和硅酸盐。 它们具有传输和传输电能的能力。
计算机中自动循环的电源无关紧要，但仍然需要电力产生的电流波来存储数据。
基本上，有两种类型的内存用于存储设备启动例程：可编程和不可编程。 第二种，由ROM存储器和PROM存储器组成，在计算领域不再使用，因为它们已经被可重写的存储器所取代，也就是说，第一种存储器，其中EPROM和EEPROM存储器. 记忆的种类有：
ROM（只读存储器）
英文ROM（Read Only Memory），由最初制造的只读字符存储器组成。 为了存储信息，使用了涉及使用硅胶板和口罩的程序，因此无法进行手动操作。 ROM 型存储器被 EPROM 和 EEPROM 型存储器取代，后者可以被覆盖。
目前，此类 ROM 存储器并未用于计算机或移动连接器的结构中，因为它们被认为是过时的、不是很通用的，而且除了被替换之外，它们的创建和维护成本也非常高。 它只有在计算领域经验丰富的专业人员手中才是可行的。 如果组件是可修复且不可逆转的损坏，则会给计算机用户带来持续的经济开支。
PROM（可编程只读存储器）
PROM 存储器或可编程只读存储器具有其前辈所没有的特殊品质。 它们设法进行配置，并且只能读取集成并保存在其中的信息。 这种 ROM 存储器模型的创建和实现可以追溯到 1950 年代。这些模型的使用涉及可以处理十二（12）伏至二十（20）伏的电压来将信息存储在内存中，因为上面提到的反转产生激活相关记忆功能的电压。
类似地，PROM存储器在其集成电路上具有一系列带有化名“ROM Programmer”的二极管，并处理二进制代码以编程并实现其功能。 在电波过载的情况下，这些存储器中的二进制值1对应于存储器的电阻和功能性能，而二极管在去除过载并且它们的电流通过时得到二进制值0，即稳定作为流体。
然而，需要注意的是，这些元件的缺点是二极管会因过载引起的放电而损坏，因成本高而在计算机市场上造成无用和损耗。 这些记忆不能满足用户建立的存储信息的需求。
EPROM（可擦除可编程只读存储器）
EPROM 存储器是所有移动设备中使用最多的，例如手机、处理器，甚至是娱乐和信息机。 它还规定数据存储存储器具有不可改变的多次编程所需的功率和质量，此外基本配置和输入数据可以删除和修改。 EPROM 存储器在西班牙语中的缩写是“Programmable and Erasable Read Only Memory”。
它们具有特殊的维护和分类质量，通过使用高强度辐照或光度的特殊方法进行，即像紫外线一样具有强大的能量质量，它设法消除记忆中的任何故障. 并设法以简单快捷的方式修复上述错误。
EEPROM
这是一种可以编程、擦除和能量重新编程的ROM存储器模型，与EPROM不同，EPROM必须通过发射紫外线的设备进行擦除，并且往往是敏感存储器。
与其他 ROM 不同的是，这款内存具有电力，并以绝对的方式研究每一次审查，以进行深入的检查，以保证出色的数据完整性。 但是，由于这种ROM模式所执行的数据经过了艰苦而深入的分析，如果数据处理和等待不正确，它的功能会迅速减慢。 西班牙语中 EEPROM 存储器的缩写是“电可擦可编程只读存储器”。
只读存储器
它是 EEPROM 的模型，每次更改一位。 写入过程为时已晚，并且再次需要更高的电压，通常约为十二 (12) 伏，并且相同的电压用于读取输入。 EAROM 适用于通常不需要部分重写的应用程序。
EARM 可用作非易失性缓冲区，以获取有关过程表示的关键通知。 在各种功能上，EAROM 已被网络提供的 CMOS RAM 取代，并以锂电池为后盾。 EAROM 存储器在西班牙语中的缩写是“Electrically Alterable Read Only Memory”。
闪存
这种存储器是 1984 年设计的 EEPROM 的最新型号。闪存比普通 EEPROM 更灵活地擦除和重写，目前的草图进一步描述了大于一百万（1.000.000）次的高耐久性。
现代NAND Flash有效利用了硅片面积，导致32年单个IC容量高达2007GB； 这种品质，连同它的物理强度和耐用性，使得 NAND 闪存在某些应用（例如 USB 闪存驱动器）中很容易取代磁性。 当用作旧 ROM 类型的替代品时，闪存有时被称为 Flash ROM 或 Flash EEPROM，但在利用快速和频繁更改能力的应用中则不然。
阅读速度
尽管 RAM 和 ROM 存储器的速度各自的相关性多年来发生了变化，但从 2.007 年开始，RAM 的读取速度比大多数 ROM 都要快，因此 ROM 的内容可以正常传输到 RAM 中。
写入速度
对于电可写 ROM 类型，写入速度总是比读取速度慢得多。 后者可能需要异常高的电压、启用写入模式的跳线和特殊的解锁命令。 NAND闪存在所有类型的可重编程ROM中实现了最高的写入速度，同时写入大块存储单元，达到15MB/s。
ROM、EPROM 和 EEPROM 存储器之间的区别
它们之间的区别是非常精确和明显的，因为第一类ROM内存只用于读取输入数据，对应操作系统的主要数据，包括Framework、Firmware，首先是BIOS计算机无法修改数据或应用程序。 程序作为内部配置，从而避免了针对设备硬件的特殊和有效开发的软件更新。
同样，在EPROM和EEPROM ROM中去掉了上述质量，所以上述数据具有更新和最新的状态，这使得它更具可操作性，也为用户提供了更好的质量，例如，更多传统，更简单和更新的性能。 至于计算机的功能和其中的所有软件，同样由于数据修改和更新的质量，设备的软件和硬件之间可以进行流畅稳定的交互。
至于ROM 存储器，由于计算机中要处理的数据默认编程在主体部分，因此不允许写入。 但是，如果数据是通过相关存储器中的重新编程程序输入的，它们会被添加和阻止，以防止任何类型的写入、删除甚至窃取存储在其中的信息。
相反，ROM EPROM 和 EEPROM 存储器确实具有允许在其中进行新编程的质量，也能够更新控制器和已编程、输入和保存在所述存储器中的任何类型的软件。 并且数据没有预先编程在这种类型的ROM存储器中，这样可以提供更好的可用性，甚至这种存储器也可以有效、简单、廉价地实现。
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